徐朝鹏
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王倩
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张磊
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陈飞鸿
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王永贞
,
纪亮亮
人工晶体学报
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
两温区气相输运法
,
结构分析
徐朝鹏
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张磊
,
王倩
,
纪亮亮
,
李亚可
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150121
采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯,探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过 X 射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的 InI 多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明,经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整,质量较高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,与理论值十分接近； In、I化学配比得到了有效调节,其化学配比接近理论化学配比1：1；中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料,用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到1010?·cm。
关键词:
碘化铟
,
多晶合成
,
气相输运
,
区域熔融
,
提纯
倪友保
,
戚鸣
,
吴海信
,
黄昌保
,
王振友
,
张春丽
人工晶体学报
含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位.高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但常规合成方法存在周期长、数量少等缺点.为此,针对部分S/Se化合物,我们对传统的合成方法进行优化、改进,实现GaSe,AgGaSe2,AgGaGeS4,AgGaGe5Se12等的快速合成,单次合成原料200～300 g,合成周期小于48 h,经过粉末衍射(XRD)测试表明合成的原料质量较好,能够生长出较大尺寸单晶.文中对快速合成方法的机理、存在的问题等也进行了相关讨论.
关键词:
硫/硒化合物
,
多晶合成
,
中红外非线性光学晶体
